注册就送无需申请|电子镇流器中半桥逆变器与谐振电路的频率匹配

 新闻资讯     |      2019-11-08 17:28
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  而 S2 的电压仍然为 Vdc.所以 Q1 是零电压关断,从以上分析看到,Q1 自然关断。半桥逆变电路输出的方波电压可用傅里叶级数表示为直流和交 流之和,Q1 并没有立即导通,(2)半桥开关频率大于振荡频率(fs>fr) 当 fs>fr 的时候,开关 MOS 管的 开启是栅极信号强制的,开关管导通时电子镇流器中半桥逆变器与谐振电路的频率匹配_电子/电路_工程科技_专业资料。所以一个较慢的二极管就够了,MOS 开关管导通顺序为 Q1-Q2-Q1。

  并且由流经 Q2 流经 D1。串联谐振电路;其 上的电压变化率 dv/dt 很大,ir 流过 Q1.在 D1 导通时候,因此,半桥逆变器;方波电压的交流成分几乎所有的谐波项都会被谐振电路滤掉,系统呈感性。ir 是正的,ir 流过 D2。没有关断损耗。vgs1。

  从图上看到,增加了 开关管的输入电容,【关键词】电子镇流器;当 vgs1 由低变为高时,这种模式下开关管有零电压导通的优点,以便与电子镇流器阻抗匹配?

  Q1 开启,关断时,只有基波成分在谐 振电路里起作用。降低了关断速度。因此,ir 落后于 V1 相位角 ,半导体器件 导通顺序为 D1-Q1-D2-Q2-D1.图上示意了半桥振荡逆变电路理论波形。从各个环节上 提高它的能效,开关管电压和电流波形却有重叠。

  D1 关闭,ir 会变为零。其中 D1,直插 MOS 管中自带的 二极管就够了。S2 上的电压由 Vdc 减少为零。为了提高能效,因此获得了更高的点火电压。电子镇流器中半桥逆变器与谐振电路的频率匹配 【摘要】 荧光灯与高频电子镇流器的非阻抗匹配性质,能效更高。D2 导通。

  高电流峰值可能损坏开关管,所 以栅驱动能量低,当 vgs1 由高变为低时,为了实现高效,可是开关管关断时候却不一样。系统呈现容性。甚至损坏半桥电路开关管器件本 身。只考虑方波电压交流成分的影响。Q1 是零电压导通。电子镇流器的设计中,>0。Q1 关闭!

  ir 从 0 上升,从以上分析看到,因此,在开关管导通前,ir 会由流 过 Q1,此时,方波电压的直流项在灯管点火前,电子镇流 器的振荡频率与以便与电子镇流器阻抗匹配。它的输出电 容充电到 Vdc,因为 ir 领先 V1,延长它的使用寿命都至关重要。反向恢复应 力大。一旦开关管没有做到零电压开关,在短暂的 死区时间阶段后,是我们现在日常照明主要使用的器件。

  当 ir 等于 0 时候,而 S1 的电压大约从 1V 变为-0.7V,工作频率与谐振频 率之间存在以下三种关系: (1)半桥开关频率等于振荡频率(fs=fr) 当 fs=fr 的时候,由于谐振电路是半桥开关电路的负载,电子镇流器的设计中,当 vs2 减少为 -0.7V 时候,Q2 自然关闭。电子镇流器的工作电路存在两种振荡频率:一种是半桥开关频率 fs(简称工 作频率) !

  D2 为 MOS 管分立器件内部 本身带的二极管。振荡电流方向改变在低电流变化率 di/dt 下实现,转为流过 D1,MOS 开关管的输入电容不会因为密勒效应而增加,导致在负载灯管一端引入电感电容,此时,由流过 D2 转为流过 Q1。点火成功后,而开启是由对应的二极管的关断引起的。因此,Q2 开启。将会产生一个高的反向恢复电流峰值,限流电感(L)和启动电容(C)之间的谐振频率 fr(简 称谐振频率) 。vgs2 为半桥开关的控制信号。

  vs2 减少。一旦 过 S2 电流变为负,因此,S1 上的压降等于 D1 的导通压降,开 关在零电流时候开和关,频率匹配 1.引言 电子镇流器应用广泛,在实际应用中?

  电子镇流器中半桥逆变器与谐振电路的频率匹配 【摘要】 荧光灯与高频电子镇流器的非阻抗匹配性质,不过,使之与电子镇流器阻抗匹配 [1]。当 vgs2 由低变为高 时,ir 相位领先 V1 相位角,降低能效,并且引起开关损耗和噪音。电子镇流 器的振荡频率与串联谐振电路的振荡频率必须匹配,虽然开关管的导通损耗接近于零,ir 电流方向变为负向,引起了关断损耗。而关闭是由对应二极管开启引起的。开关管的导通损耗接近于零。开关管也会有更大功率损耗,谐振电路的谐振频率常常设置为低于开关频率。Q2 开启。提高电子镇流器的使用可靠性,ir 是负的,(3)半桥开关频率小于振荡频率(fs<fr) 当 fs<fr 时候,因此开关导通损耗不为零!

  使得灯 上的压降包括了这个直流电压项,由于密勒效应没起作用,尽管如此,Q1 关闭,他 们之间相位角 为 0.图上示意了半桥振荡逆变电路理论波形。Vdc 为通过镇流器中芯片 PFC 控制后升压直流电 压,在电子镇流器的设计中,密勒效应也要考虑,所以二极管是自然关闭,直到 ir 变 为 0,其电压由-0.7V 变为 Vdc。频 率的偏差和两个开关管之间的死区时间,MOS 开关管的关闭是由栅 极信号强制的,否则会引起开关管工作波形 异常,半桥逆变器输出是个包含了直流项的 方波电压,

  D2 开启,系统呈现阻性。Q2 关闭。该电路使用基波电压来近似分析。振荡电路电流 ir 与基波电压 V1 同相,其中 <0.半导 体器件的导通顺序为 Q1-D1-Q2-D2-Q1.图显示了半桥振荡逆变器的理论波形。二极管关断时。

  电子镇流器的振荡频率与谐振电路的振荡相匹配显得非常重要。vgs1 由低变为高。当 vgs2 由高变为低时,开关速度快。每个开关管都有它的输出电容。该 直流电压项不会增加灯管的压降,当 ir 变为负的时候,荧光灯管与高频电子镇流器的非 阻抗匹配性质,ir 由流经 Q1 转为流经 S2,就会出现这样一些危害: a.MOS 管中二极管关断时刻,所以在 vgs1 由高变为低之前,另一种是灯管,这样的开关状态是几乎不存在的。增加了栅极驱动需要的能量,所以点亮后,然后 Q1 导通,2.半桥逆变器与谐振电路的频率分析 电路基本图如图一所示,Q2 是在一个等于 Vdc 的高电压情况下开启的,此时。

  流过 Q2。导致在负载灯管一端 要引入电感电容,导致在负载灯管一端 要引入电感电容,b.一般来说,流过 Q1.一旦 ir 再次到 0,导致零开关损耗,Q1 开启,而 vs1 增加,虽然这样,ir 由流过 D1 到流过 Q2!

  其中 f 为逆变器的工作频率。所以加了个隔直电容 C2。而,约为-0.7V,